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IBM可能會選擇更便宜的DRAM

時間：2016年8月5日

DRAM一個更便宜的替代品只是把企業(yè)數(shù)據(jù)中心更近了一步，IBM推出了一個辦法使它更密集。

 PCM（相變存儲器）是為數(shù)不多的新興技術，目的是比Flash比DRAM便宜更快。他們可以以較低的成本給企業(yè)和消費者更快地訪問數(shù)據(jù)，但也有需要克服的挑戰(zhàn)，在這之前。密度是其中的一個，和IBM說它取得了那個地區(qū)的一個新的高的一個版本，可容納三位PCM單元。這是百分之50以上的公司展示了2011與PCM一二位。更大的密度讓IBM擠出更多的能力在什么仍然是一個昂貴的技術。PCM運一些產(chǎn)品，但在一個相對較小的規(guī)模。這個迭代可能做的伎倆使PCM更廣泛的成功，到目前為止，它仍然比DRAM更貴，所以沒有太多的理由去使用它”。

 PCM通過玻璃一樣的物質(zhì)從非晶態(tài)向用電結晶形態(tài)變化。像NAND閃存，它使存儲數(shù)據(jù)，當一個設備被關閉，而DRAM不能做。但PCM反應比閃存更快的數(shù)據(jù)請求：在小于一微秒，70微秒相比，根據(jù)IBM。它還持續(xù)超過Flash，至少1000萬寫周期和3000周期的平均閃存的USB棒。三位PCM可以作為一種快速層存儲陣列內(nèi)，包括全閃存陣列，所以最常用的數(shù)據(jù)獲取應用程序更快。它也可以采取很多系統(tǒng)中的DRAM，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫切割技術的成本一樣。消費者可以從技術中獲益。例如，一個智能手機，其操作系統(tǒng)存儲在三位PCM可以啟動，在短短的幾秒鐘。甜蜜點之間的內(nèi)存和閃存存儲是一個受歡迎的地方。英特爾和微米是針對它的三維公司采用疊層介質(zhì)。其他的新興技術包括RRAM（電阻RAM），MRAM（磁阻RAM）和憶阻器。


像3D公司，三位PCM能突破大規(guī)模成功通過一個芯片制造商的支持，英特爾正在與x86使三維公司工作，而IBM是PCM的電源架構鋪平了道路。這種購買是大規(guī)模生產(chǎn)的關鍵，它是推動新技術的成本降低。IBM增加了兩個特征使PCM可能的新形式。一個是調(diào)整方式對所謂的“漂移”，可以逐步降低存儲器的存儲能力的正確的價值觀。影響熱相變材料可以在系統(tǒng)正�？煽窟\行的其他柜臺的溫度。另一個難題是如何讓數(shù)據(jù)處理器沒有放慢對數(shù)據(jù)的方式。IBM賭CAPI（相干加速器處理器接口），一個高速協(xié)議以電力為基礎的服務器。資本運行的頂部的PCIe物理接口。

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