SSD相對于HDD有許多明顯的優(yōu)點(diǎn):如噪音、體積、重量、容量,3.5寸的固態(tài)硬盤可以做到60TB,2.5寸的固態(tài)硬盤最大可以做到32TB,尤其是SSD硬盤的隨機(jī)讀寫性能大大超過HDD,許多企業(yè)早期在一些關(guān)鍵業(yè)務(wù)開始使用固態(tài)硬盤,F(xiàn)在唯一制約SSD發(fā)展的是SSD的價(jià)格,SSD價(jià)格下降的一個(gè)重要的因素則是TLC NAND技術(shù)的成熟。
早期為了進(jìn)一步提升NAND存儲密度和降低成本,NAND顆粒的工藝一直在不斷的提升,但是隨著工藝的不斷提升,每個(gè)cell之間的干擾也會變得越來越嚴(yán)重,各家廠商開始研發(fā)3D NAND技術(shù),在平面基礎(chǔ)上通過NAND顆粒的堆疊來實(shí)現(xiàn)容量的增加,F(xiàn)階段各家的3D NAND都已經(jīng)開始推出到了48層,最多可以達(dá)到64層甚至更高,后面還有90多層。
除了3D NAND,各個(gè)廠商也開始去研發(fā)新的存儲介質(zhì),PCM相變存儲器就是其中一種,它利用一個(gè)特殊的材料,在晶態(tài)和非晶態(tài)之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)化的相變來存儲數(shù)據(jù),我們先不討論它使用什么材料,先看它有哪些優(yōu)點(diǎn)。首先就是比現(xiàn)在的閃存快100倍甚至更多,同時(shí)還有百萬級的數(shù)據(jù)擦寫次數(shù),對于電熱的驅(qū)動溫度控制其實(shí)是一個(gè)重要的難點(diǎn),因現(xiàn)階段的PCM還是處于實(shí)驗(yàn)室階段。
隨著新電路和新主控的出現(xiàn),z - NAND的讀延時(shí)明顯低于普通的NAND顆粒,與普通NAND相比,壽命也得以大大提高。這就使Z-NAND有一個(gè)介于DRAM和普通SSD之間的性能。
Z-NAND、PCM,3D NAND堆疊技術(shù),都是在存儲介質(zhì)上正在應(yīng)用或正在探索的技術(shù),除此之外在SSD的接口協(xié)議上也有一些變化,我們知道SATA SSD繼承了HDD的生態(tài)系統(tǒng),在兼容性方面有著很好的表現(xiàn)。但現(xiàn)在有很多企業(yè),逐漸在自己的關(guān)鍵性業(yè)務(wù)上開始使用NVMe SSD代替SATA SSD,NVMe SSD除了有更高的理論帶寬和更低的延遲,接口相比以前也更加豐富,現(xiàn)在的NVMe SSD不像以前的AIC的端口,U.2接口的出現(xiàn)使NVMe SSD更加易于管理和維護(hù),可以實(shí)現(xiàn)前端的插拔,實(shí)現(xiàn)不停機(jī)的更換。雖然現(xiàn)在還有許多不利的因素制約著NVMe SSD的發(fā)展,比如像它的功耗、散熱等等,但是圍繞著NVMe SSD也有一些新技術(shù)在不斷推出,使NVMe SSD適配于更多場景。
Dual Port NVMe SSD可以讓一塊存儲設(shè)備可以連接在兩個(gè)不同的磁盤控制器上,當(dāng)其中一個(gè)磁盤控制器出現(xiàn)故障,第二個(gè)控制器可以迅速接手,避免無法使用。為了使每個(gè)磁盤控制器都有足夠的帶寬,通常將U.2接口的PCIe 3.0 x4帶寬一分為二,每個(gè)磁盤控制器在訪問SSD時(shí)都可以擁有一半的帶寬。
Multi-Stream的技術(shù)已經(jīng)寫到NVMe spec V1.3中,根據(jù)主機(jī)端提供的Stream ID,將具有相同或相似生命周期的數(shù)據(jù)寫入到相同的擦除單元中,大大的提高了GC時(shí)效率,減少了寫放大,使得SSD的性能和壽命都有了較大的提升。
Key Value SSD,通過現(xiàn)有的存儲架構(gòu)將KV的接口轉(zhuǎn)成下層的Block接口,在這個(gè)過程中需要KV到LBA再到PBA的轉(zhuǎn)化,這個(gè)轉(zhuǎn)化很消耗資源,KV SSD砍掉了不必要的軟件層和硬件層,使應(yīng)用程序可以更直接的訪問到SSD,大大提高SSD的訪問效率。各大廠商都開始向標(biāo)準(zhǔn)化組織提出他們自己的技術(shù)建議,希望推動KV SSD成為開放性的標(biāo)準(zhǔn),以此來推動SSD的發(fā)展。
傳統(tǒng)虛擬化都是通過軟件實(shí)現(xiàn)的,雖然實(shí)現(xiàn)了CPU的虛擬化,但沒有實(shí)現(xiàn)I/O的虛擬化,I/O的決策還是通過軟件實(shí)現(xiàn)的,這樣就會帶來一個(gè)瓶頸并且影響性能。SR-IOV可以將一個(gè)物理控制器虛擬成多個(gè)虛擬控制器,并將一些物理資源分配給虛擬控制器,以此來讓數(shù)據(jù)傳輸繞過軟件模擬層直接分配到虛擬設(shè)備,以達(dá)到降低軟件模擬層中的I/O開銷的目的。
NVMe over Fabric,這個(gè)技術(shù)現(xiàn)在研究的人較多,現(xiàn)在一個(gè)SSD可以提供高達(dá)10TB的容量,可以提供十幾萬甚至幾十萬的IOPS,對于單臺服務(wù)器來說是比較浪費(fèi)的,我和互聯(lián)網(wǎng)的同事們溝通過,如果在一個(gè)SSD上存儲太多的數(shù)據(jù),那么CPU或者內(nèi)存就可能會成為瓶頸。只能少存一些數(shù)據(jù),這樣也會帶來巨大的空間的浪費(fèi)。在NVMe over Fabric出現(xiàn)之前也有一些其他的互聯(lián)協(xié)議提供一個(gè)共享方式,通過改善系統(tǒng)的性能,以減少CPU的負(fù)擔(dān),像iSCSI,但是iSCSI仍然受到SCSI協(xié)議的限制,存在較大協(xié)議的開銷,NVMe在單系統(tǒng)上有很高的性能和效率,NVMe over Fabric把高性能高效率帶到了NVMe存儲互聯(lián)結(jié)構(gòu)當(dāng)中,大大的減少了網(wǎng)絡(luò)的延遲,在低壓力下,NVMe over Fabric環(huán)境下的延遲比本地延遲稍微高一點(diǎn),但在高壓力下它的延遲和IOPS基本可以做到和本地一個(gè)水平。
現(xiàn)在的閃存介質(zhì)相較于以前已經(jīng)有了比較大的進(jìn)步和發(fā)展,3D NAND技術(shù)使得現(xiàn)在SSD的容量越來越大,有一些新的技術(shù)繞著SSD在不斷的出現(xiàn),以解決SSD或者SSD使用過程中的痛點(diǎn),比如KV和Multi stream最大化的挖掘SSD的潛能,SR-IOV和NVMe over Fabric解決SSD在虛擬化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用環(huán)境下的瓶頸。以后還會有更多新的技術(shù)出現(xiàn)。
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